طراحي يك ترانزيستور جديد توسط شركت Freescale
كه به ميزان چشمگيري كارايي تراشههاي مورد استفاده در تجهيزات الكترونيكي را افزايش ميدهد.
MOSFETها (ترانزيستورهاي نيمهرساناي تحت تاثير ميدان اكسيدهاي فلزي) در حال حاضر بر پايه سيليكون طراحي ميشوند. اما ترانزيستور جديد شركت Freescale كه بر پايه گاليم آرسنيك طراحي شده است، قابليت انتقال الكترونها را 20 برابر بيشتر از MOSFETهاي مبتني بر سيليكون داراست.
Karl Johnson يكي از مديران طراحي اين ترانزيستور ميگويد: Freescale از ده سال گذشته تحقيقات و پژوهشهاي فراواني در اين زمينه انجام داده است، اما فقط حدود يك درصد از ترانزيستورهايي كه طراحي ميشوند قابليت استفاده در طرحهاي تجاري را دارند.
Johnson ميگويد: ما بسيار خوشحال هستيم كه اين دستگاه قابليت توليد انبوه را داراست و اين فناوري ميتواند صنعت ترانزيستور را متحول كند. عرضه اين ترانزيستور ميتواند تحول بزرگي در فناوري تراشهها به وجود خواهد آورد.
شايان گفتن است كه بزرگترين مشكل در تجاري شدن اين ترانزيستور جديد قيمت بالاي آن است كه كارشناسان Freescale در تلاش براي يافتن شيوههايي هستند كه بتوانند قيمت اين ترانزيستور را كاهش دهند تا امكان توسعه آن در بين شركتهاي سازنده تراشهها را فراهم سازد.